鍍膜的時候提高基片溫度有利于將吸附在基片表面的剩余氣體分子排除，增加基片與沉積分子之間的結合力；同時會促使物理吸附向化學吸附轉換，增強分子之間相互作用，使濾光片膜層結構緊密。例如，MεF2膜，基片加熱到250~300℃可減小內應力，提高聚集密度，增加濾光片膜層硬度；基片加熱到120~150℃制備的ZAO2-SiO2多層膜，其機械強度提高了許多，但基片溫度過高會造成濾光片膜層變質。